[发明专利]一种单层单晶方形石墨烯的制备方法在审
| 申请号： | 201910283735.2 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN109957836A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 温勇;黄蓉;黄志高;赖发春 | 申请（专利权）人： | 福建师范大学 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B25/16;C01B32/186 |
| 代理公司： | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人： | 戴雨君 |
| 地址： | 350108 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种单层单晶石墨烯的制备方法。具体为：用剪刀将铜箔剪切成合适大小，将其放入稀盐酸中进行超声清洗，然后转移至丙酮溶液中超声清洗，清洗结束后用氮气吹干待用；将铜箔放入管式炉石英管内，通入Ar，在氩气气氛下升温至1000～1060℃进行退火处理；对管式炉抽真空至10 Pa，调节化学气相沉积系统使系统压强稳定在0.54 KPa，在该压强下生长10 min；快速降温，并通入300～350 sccm Ar和4 sccm H2，待降至室温即生长出单层单晶方形石墨烯。该方法制备过程简单可控，为进一步理解石墨烯生长机制、实现石墨烯的大规模生产具有重要的指导作用。 | ||
| 搜索关键词： | 单层 超声清洗 方形石墨 石墨烯 单晶 放入 铜箔 制备 生长 化学气相沉积系统 压强 丙酮溶液 单晶石墨 氮气吹干 快速降温 炉抽真空 退火处理 系统压强 制备过程 氩气气氛 剪切 管式炉 石英管 稀盐酸 对管 可控 剪刀 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种单层单晶石墨烯的制备方法，其特征在于：1）铜箔的预处理：用剪刀将铜箔剪切成合适大小，将其放入稀盐酸中进行超声清洗，然后转移至丙酮溶液中超声清洗，清洗结束后用氮气吹干，待用；2）衬底退火：将铜箔放入管式炉石英管内，通入Ar，在氩气气氛下升温至1000～1060℃，并在该温度下进行退火处理；3）生长：铜箔退火后，对管式炉抽真空至10 Pa，通入CH4和H2，调节化学气相沉积系统出气口速率使系统压强稳定在0.54 KPa，在该压强下生长10 min，该过程保持管式炉的温度为1000～1060 ℃；4）降温：打开管式炉，快速降温，并通入300～350 sccm Ar和4 sccm H2，待降至室温即生长出单层单晶方形石墨烯。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建师范大学，未经福建师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910283735.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
