[发明专利]一种氧化亚铜-氧化锌异质结太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201910269032.4 | 申请日: | 2019-04-04 |
公开(公告)号: | CN110112225A | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 黄仕华;丁月珂;池丹;张嘉华;张美影 | 申请(专利权)人: | 浙江师范大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/032;H01L31/072;H01L31/18;B82Y30/00 |
代理公司: | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人: | 朱枫 |
地址: | 321004 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开一种氧化亚铜‑氧化锌异质结太阳能电池及其制备方法,以康宁玻璃为衬底,利用磁控溅射法生长金属钛,随后在钛薄膜上溅射银电极;利用反应磁控溅射法生长氮掺杂Cu2O薄膜;采用等离体子化学气相沉积法在氮掺杂Cu2O薄膜表面生长微晶氧化硅薄膜;利用磁控溅射法生长铝掺杂ZnO薄膜;采用磁控溅射法生长,利用掩膜板在ZnO薄膜上溅射一层Ag电极。本发明利用微晶氧化硅中的非晶氧化硅钝化Cu2O表面的CuO深能级缺陷,掺杂的硅纳米晶输运光生载流子,同时在生长过程中引入的氢在随后退火温度下扩散到Cu2O之中,减少其缺陷密度,从而提高Cu2O太阳能电池的效率。 | ||
搜索关键词: | 磁控溅射法 异质结太阳能电池 生长 氧化亚铜 氮掺杂 氧化锌 溅射 微晶 制备 反应磁控溅射法 退火 化学气相沉积 非晶氧化硅 光生载流子 深能级缺陷 氧化硅薄膜 太阳能电池 表面生长 硅纳米晶 生长过程 电极 掺杂的 金属钛 铝掺杂 掩膜板 氧化硅 银电极 钛薄膜 衬底 钝化 输运 玻璃 扩散 引入 | ||
【主权项】:
1.一种氧化亚铜‑氧化锌异质结太阳能电池,其特征在于:具有如下的电池结构:以康宁玻璃为衬底,依次生长有金属钛层、银层、氮掺杂氧化亚铜薄膜、n型微晶氧化硅薄膜、铝掺杂氧化锌薄膜、银电极。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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