[发明专利]单晶硅薄膜及其制作方法有效
| 申请号： | 201910264767.8 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN110098145B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 曲连杰;吕振华 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提出了单晶硅薄膜及其制作方法。该制作单晶硅薄膜的方法包括：在第一硅片的第一表面上离子注入形成离子层；在第二硅片的第二表面上热氧化形成氧化层；将第一硅片与第二硅片键合；对键合后的第一硅片与第二硅片进行退火处理，并剥离离子层；对剥离后的单晶硅进行研磨，以获得单晶硅薄膜。本发明所提出的制作方法，可实现在多种不同的衬底表面形成纳米级厚度的单晶硅薄膜，从而能解决单晶硅薄膜应用到玻璃衬底或柔性衬底上的技术难题，并且，该制作方法获得的单晶硅薄膜的迁移率可大于1000cm |
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| 搜索关键词： | 单晶硅 薄膜 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作单晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括：在第一硅片的第一表面上离子注入形成离子层；在第二硅片的第二表面上热氧化形成氧化层；将所述第一硅片与所述第二硅片键合；对所述键合后的所述第一硅片与所述第二硅片进行退火处理，并剥离所述离子层；对所述剥离后的单晶硅进行研磨，以获得所述单晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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