[发明专利]一种中红外光探测器及其制备方法

摘要

本发明揭示了一种中红外光探测器及其制备方法，该光探测器包括单晶硅衬底、绝缘层、连续的石墨烯层、量子点层以及覆盖量子点上的纳米光栅接触电极；所述单晶硅衬底、绝缘层、连续的石墨烯层、量子点层以及覆盖量子点上的纳米光栅接触电极均布设在一PVC衬底基片上。该器件由周期性的纳米光栅阵列构成，其对入射光束的耦合作用可以有效地改善石墨烯光电探测器件弱光吸收的缺点，且制备得到的光电探测器对中红外波段的光谱有明显的吸收，有较高的光响应率。