[发明专利]双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器及其制备方法，渐变形探测器单元正面和渐变形探测器单元背面位于高阻硅基底相对的两平面上；渐变形探测器单元正面包括第一渐变式P+阴极螺旋环和嵌于其内的N+收集阳极，第一渐变式P+阴极螺旋环由正面圆形区域、正面渐变区域和正面方形区域组成；渐变形探测器单元背面包括第二渐变式P+阴极螺旋环，第二渐变式P+阴极螺旋环由背面圆形区域、背面渐变区域和背面方形区域组成；第二渐变式P+阴极螺旋环中心设有中间电极。通过吸杂氧化工艺在N型高阻硅晶片表面生成二氧化硅层，将探测器图形转移到二氧化硅层上，再进行各部件的刻蚀和离子注入、激活，最后探测器的损伤进行修复。

主权项

1.双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器，其特征在于，由渐变形探测器单元正面(7)、渐变形探测器单元背面(8)和高阻硅基底(14)组成；渐变形探测器单元正面(7)和渐变形探测器单元背面(8)位于高阻硅基底(14)相对的两平面上；渐变形探测器单元正面(7)包括第一渐变式P+阴极螺旋环(1)，第一渐变式P+阴极螺旋环(1)由正面圆形区域、正面渐变区域(9)和正面方形区域组成；第一渐变式P+阴极螺旋环(1)内嵌有N+收集阳极(2)；渐变形探测器单元背面(8)包括第二渐变式P+阴极螺旋环(5)，第二渐变式P+阴极螺旋环(5)由背面圆形区域、背面渐变区域(10)和背面方形区域组成；第二渐变式P+阴极螺旋环(5)的中心设有中间电极。