[发明专利]用于半导体封装的凸块制造方法在审
| 申请号： | 201910249907.4 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109979834A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 许冠猛 | 申请（专利权）人： | 颀中科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于半导体封装的凸块制造方法，包括以下步骤：提供一基板，所述基板的上方设有第一金属层及位于所述第一金属层上方的第二金属层；在所述第二金属层上设置光阻层，图案化所述光阻层形成开口；在所述开口内设置铜凸块；通过开窗扩孔使所述铜凸块与所述光阻层之间产生间隙；通过蚀刻所述铜凸块使所述间隙进一步增大直至达到所需的宽度；在所述铜凸块的上方电镀镍质金属层且填充所述间隙；在所述镍质金属层的上方电镀金质金属层；移除所述光阻层和位于所述光阻层下方的所述第二金属层和所述第一金属层。本发明用于半导体封装的凸块制造方法不仅工艺上简化了操作，更极大地降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 光阻层 铜凸块 半导体封装 第二金属层 第一金属层 金属层 凸块 基板 开口 制造 蚀刻 电镀 电镀镍 图案化 开窗 扩孔 镍质 移除 填充 生产成本 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体封装的凸块制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板，所述基板的上方设有第一金属层及位于所述第一金属层上方的第二金属层；在所述第二金属层上设置光阻层，图案化所述光阻层形成开口；在所述开口内设置铜凸块；通过开窗扩孔使所述铜凸块与所述光阻层之间产生间隙；通过蚀刻所述铜凸块使所述间隙进一步增大直至达到所需的宽度；在所述铜凸块的上方电镀镍质金属层且填充所述间隙；在所述镍质金属层的上方电镀金质金属层；移除所述光阻层和位于所述光阻层下方的所述第二金属层和所述第一金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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