[发明专利]用于半导体封装的凸块制造方法

说明书

本发明提供了一种用于半导体封装的凸块制造方法，包括以下步骤：提供一基板，所述基板的上方设有第一金属层及位于所述第一金属层上方的第二金属层；在所述第二金属层上设置光阻层，图案化所述光阻层形成开口；在所述开口内设置铜凸块；通过开窗扩孔使所述铜凸块与所述光阻层之间产生间隙；通过蚀刻所述铜凸块使所述间隙进一步增大直至达到所需的宽度；在所述铜凸块的上方电镀镍质金属层且填充所述间隙；在所述镍质金属层的上方电镀金质金属层；移除所述光阻层和位于所述光阻层下方的所述第二金属层和所述第一金属层。本发明用于半导体封装的凸块制造方法不仅工艺上简化了操作，更极大地降低了生产成本。

技术领域

本发明涉及一种用于半导体封装的凸块制造方法。

背景技术

传统的封装技术中对铜凸块的侧壁保护通常采用镀镍来实现，其一般的制造方法为：先对光阻层开孔，在开孔内由下而上一次电镀铜、镍及金，其次，移除光阻层，最后，将凸块再进行电镀镍以包覆铜的侧壁，然而，在整个凸块制造过程中，采用了二次镀镍，不仅工艺复杂，而且成本较大。

有鉴于此，有必要对现有的用于半导体封装的凸块制造方法予以改进，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种制造简单且成本较低的用于半导体封装的凸块制造方法。

为实现上述发明目的，本发明提供了一种用于半导体封装的凸块制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板，所述基板的上方设有第一金属层及位于所述第一金属层上方的第二金属层；

在所述第二金属层上设置光阻层，图案化所述光阻层形成开口；

在所述开口内设置铜凸块；

通过开窗扩孔使所述铜凸块与所述光阻层之间产生间隙；

通过蚀刻所述铜凸块使所述间隙进一步增大直至达到所需的宽度；

在所述铜凸块的上方电镀镍质金属层且填充所述间隙；

在所述镍质金属层的上方电镀金质金属层；

移除所述光阻层和位于所述光阻层下方的所述第二金属层和所述第一金属层。

作为本发明的进一步改进，所述开窗扩孔包括一次开窗扩孔和二次开窗扩孔，所述一次开窗扩孔采用烘烤处理，所述二次开窗扩孔采用等离子体蚀刻处理。

作为本发明的进一步改进，所述一次开窗扩孔具体包括：在具有惰性气体的烘箱中且所述烘箱的温度在120～150℃之间的条件下烘烤40～60min，使所述光阻层和所述铜凸块之间产生所述间隙。

作为本发明的进一步改进，所述惰性气体为氮气。

作为本发明的进一步改进，所述一次开窗扩孔使所述间隙达到第一宽度，所述第一宽度的范围为3～5um，所述二次开窗扩孔使所述间隙达到第二宽度，所述第二宽度的范围为5～8um。

作为本发明的进一步改进，通过蚀刻所述铜凸块使所述间隙进一步增大至所需的宽度具体包括：化学蚀刻所述铜凸块使所述间隙进一步扩大至第三宽度，所述第三宽度的范围为8～12um。

作为本发明的进一步改进，所述蚀刻为化学蚀刻，所述化学蚀刻采用过氧化氢药液填充所述间隙对所述铜凸块进行蚀刻。

作为本发明的进一步改进，所述化学蚀刻的时间范围为20～40min。

作为本发明的进一步改进，所述化学蚀刻进一步蚀刻所述第二金属层使所述铜凸块和所述第二金属层的侧壁在上下方向共面。

作为本发明的进一步改进，所述金质金属层的顶面在上下方向上低于所述光阻层。