[发明专利]一种1T1C柔性铁电存储器及其制备方法

摘要

一种1T1C柔性铁电存储器，包括：晶体管结构(1)、电容结构(2)和引线层(3)；晶体管结构(1)包括衬底(11)、源极(12)、漏极(13)和栅极(14)；源极(12)和漏极(13)分别嵌设于衬底(11)一面上，源极(12)和漏极(13)间隔设置，且靠近衬底(11)的一端；栅极(14)设置于衬底(1)表面上且位于源极(12)与漏极(13)之间；电容结构(2)位于衬底(11)的表面上，且靠近衬底(11)的另一端，并通过引线层(3)与晶体管结构(1)连接。本发明还提供一种1T1C柔性铁电存储器的制备方法，通过采用深反应离子刻蚀来减薄衬底材料厚度以实现柔性铁电存储器，具有工艺简单和成本低廉的优点。

主权项

1.一种1T1C柔性铁电存储器，其特征在于，包括：晶体管结构(1)、电容结构(2)和引线层(3)；所述晶体管结构(1)包括衬底(11)、源极(12)、漏极(13)和栅极(14)；所述源极(12)和所述漏极(13)分别嵌设于所述衬底(11)一面上，所述源极(12)和所述漏极(13)间隔设置，且靠近所述衬底(11)的一端；所述栅极(14)设置于所述衬底(11)表面上且位于所述源极(12)与漏极(13)之间；所述电容结构(2)位于所述衬底(11)的表面上，且靠近所述衬底(11)的另一端，并通过所述引线层(3)与所述晶体管结构(1)连接；衬底(11)靠近所述引线层(3)的表面与所述引线层(3)远离所述衬底(11)的表面距离为410nm～800nm。