[发明专利]3D存储器件及其制造方法

摘要

公开了一种3D存储器件的制造方法，包括：在衬底上形成第一牺牲层；在第一牺牲层上形成第一叠层结构，其中，第一叠层结构包括交替堆叠的多个层间绝缘层和多个第二牺牲层；形成贯穿第一叠层结构的沟道柱，沟道柱停止在第一牺牲层表面；在沟道柱的底部与衬底之间形成半导体层；采用氧化物层置换第一牺牲层以及采用多个栅极导体层置换多个第二牺牲层，形成叠层结构；以及形成贯穿叠层结构的导电通道。本发明实施例可以更好地控制沟道孔、虚拟沟道孔以及栅线缝隙的刻蚀特性，使半导体层具有良好的增长曲线；并且在冲孔过程中不会造成沟道柱的损坏。对于层数较高的堆叠结构，采用两个至多个叠层结构堆叠实现，多个叠层结构的沟道孔的尺寸可以增大。

主权项

1.一种3D存储器件的制造方法，包括：在衬底上形成第一牺牲层；在所述第一牺牲层上形成第一叠层结构，其中，所述第一叠层结构包括交替堆叠的多个层间绝缘层和多个第二牺牲层；形成贯穿所述第一叠层结构的沟道柱，所述沟道柱停止在所述第一牺牲层表面；在所述沟道柱的底部与衬底之间形成半导体层；采用氧化物层置换所述第一牺牲层以及采用多个栅极导体层置换所述多个第二牺牲层，形成叠层结构；以及形成贯穿所述叠层结构的导体通道。