[发明专利]3D NAND闪存及制备方法

摘要

本发明提供一种3D NAND闪存及制备方法，包括：半导体衬底；叠层结构，位于半导体衬底上，叠层结构包括交替叠置的栅间介质层及栅极层；栅间介质层包括交替叠置的第一漏电抑制层及第二漏电抑制层；沟道通孔，位于叠层结构内；功能侧壁，位于沟道通孔的侧壁表面，功能侧壁包括多个分离且沿沟道通孔的深度方向间隔排布的存储单元，存储单元与栅极层一一对应设置；沟道层，位于沟道通孔内，且位于功能侧壁的表面及沟道通孔的底部。本发明可以有效减小相邻栅极层之间的漏电，提高相邻栅极层之间的栅间介质层的抗击穿能力，降低相邻栅极层之间的耦合效应。

主权项

1.一种3D NAND闪存，其特征在于，包括：半导体衬底；叠层结构，位于所述半导体衬底上，所述叠层结构包括交替叠置的栅间介质层及栅极层；所述栅间介质层包括交替叠置的第一漏电抑制层及第二漏电抑制层；沟道通孔，位于所述叠层结构内；功能侧壁，位于所述沟道通孔的侧壁表面，所述功能侧壁包括多个分离且沿所述沟道通孔的深度方向间隔排布的存储单元，所述存储单元与所述栅极层一一对应设置；及沟道层，位于所述沟道通孔内，且位于所述功能侧壁的表面及所述沟道通孔的底部。