[发明专利]微发光二极管阵列基板的制作方法有效

专利信息
申请号: 201910238711.5 申请日: 2019-03-27
公开(公告)号: CN109802018B 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 田婷;窦树谦;傅晓亮;邓立广;周大勇;范志强;韩永杰;张亚文;王忠俊;张东;刘宇;李哲然;金亨奎 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L27/15
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 赵天月
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了微发光二极管阵列基板的制作方法。该方法包括:提供基板,基板上具有多个阵列排布的像素单元,像素单元包括多个用于承接不同颜色微发光二极管的子像素区域,不同颜色的微发光二极管的磊晶层厚度不同;提供第一基板,第一基板上具有多个阵列排布且颜色相同的微发光二极管,并将第一基板上的微发光二极管整体转移到基板上与微发光二极管颜色相同的子像素区域处;按照微发光二极管磊晶层厚度依次增大的顺序,多次重复转移第一基板上微发光二极管的步骤,直至像素单元中的多个子像素区域均设置有颜色与之对应的微发光二极管。由此,该方法具有效率高的优点,由该方法制作出的微发光二极管阵列基板可以实现彩色化显示。
搜索关键词: 发光二极管 阵列 制作方法
【主权项】:
1.一种微发光二极管阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:提供基板,所述基板上具有多个阵列排布的像素单元,所述像素单元包括多个用于承接不同颜色微发光二极管的子像素区域,不同颜色的所述微发光二极管的磊晶层厚度不同;提供第一基板,所述第一基板上具有多个阵列排布且颜色相同的微发光二极管,并将所述第一基板上的所述微发光二极管整体转移到所述基板上与所述微发光二极管颜色相同的所述子像素区域处;按照所述微发光二极管的磊晶层厚度依次增大的顺序,多次重复转移所述第一基板上的微发光二极管的步骤,直至所述像素单元中的多个所述子像素区域均设置有颜色与之对应的所述微发光二极管。
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