[发明专利]一种电极制备方法和发光二极管在审
| 申请号： | 201910237618.2 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN109980053A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 刘召军;王河深;容沃铖 | 申请（专利权）人： | 深圳市思坦科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电极制备方法及发光二极管。该电极制备方法包括：提供一基板；在基板的一侧设置目标样品；在目标样品上放置丝线；在目标样品上放置掩膜层；掩膜层设置有镂空图形，镂空图形露出部分丝线以及丝线两侧的部分目标样品；以掩膜层以及丝线为掩膜在目标样品上形成电极图案。本发明提供的电极制备方法可以实现工艺简单，工序周期短，无污染，精度高的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 目标样品 丝线 电极制备 掩膜层 发光二极管 镂空图形 基板 电极图案 工序周期 掩膜 | ||
【主权项】：
1.一种电极制备方法，其特征在于，包括：提供一基板；在所述基板的一侧设置目标样品；在所述目标样品上放置丝线；在所述目标样品上放置掩膜层；所述掩膜层设置有镂空图形，所述镂空图形露出部分所述丝线以及所述丝线两侧的部分目标样品；以所述掩膜层以及所述丝线为掩膜在所述目标样品上形成电极图案。
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