[发明专利]一种高精度反射式DOE衍射器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910225327.1 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN109975904A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;孙锋;华卫群;丁鼎 | 申请（专利权）人： | 无锡中微掩模电子有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 连云港联创专利代理事务所(特殊普通合伙) 32330 | 代理人： | 刘刚 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子工艺的衍射微光学器件的加工方法，具体为一种高精度反射式DOE衍射器件，包括单晶硅基板(1)、多晶硅层(2)和光刻掩模版(3)，图案化所述多晶硅层以形成沟道区域，所述沟道区域的两侧包括对称设置的两个低掺杂区域，所述低掺杂区域的外侧包括对称设置的两个高掺杂区域；在所述多晶硅层的所述沟道区域、所述低掺杂区域及所述高掺杂区域上沉积岛状光阻层；所述岛状光阻层具有第一厚度及第二厚度。本发明的高精度反射式DOE衍射器件的制备方法用微电子加工工艺制备反射式DOE器件能有效控制图形精度和减少成本；通过对多晶硅层及光刻掩模版进行优化，确保图形的精度，并对其制备方法进行优化，延长了其使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅层 反射式 制备 沟道区域 衍射器件 低掺杂 对称设置 高掺杂 光阻层 掩模版 岛状 光刻 微电子加工工艺 单晶硅基板 微电子工艺 微光学器件 使用寿命 有效控制 图案化 衍射 沉积 优化 加工 | ||
【主权项】：
1.一种高精度反射式DOE衍射器件，其特征在于：包括单晶硅基板(1)、多晶硅层(2)和光刻掩模版(3)，所述多晶硅层(2)设在单晶硅基板(1)上，所述光刻掩模版(3)设在多晶硅层(2)上，还包括铝层(4)和保护层(5)，所述铝层(4)设在多晶硅层(2)上，所述保护层(5)设在铝层(4)上；图案化所述多晶硅层以形成沟道区域，所述沟道区域的两侧包括对称设置的两个低掺杂区域，所述低掺杂区域的外侧包括对称设置的两个高掺杂区域；在所述多晶硅层的所述沟道区域、所述低掺杂区域及所述高掺杂区域上沉积岛状光阻层；所述岛状光阻层具有第一厚度及第二厚度，所述第一厚度小于所述第二厚度，具有所述第一厚度的所述岛状光阻层覆盖所述沟道区域的所述边缘及所述低掺杂区域。
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