[发明专利]基于隧穿场效应晶体管的半导体生物传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910224882.2 | 申请日： | 2019-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN109959696B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 李聪;郭嘉敏;庄奕琪;闫志蕊;刘伟峰;李振荣;汤华莲 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于隧穿场效应晶体管的半导体生物传感器，主要解决常规半导体生物传感器无法辨别中性生物分子，检测敏感精度低的问题，其包括：SOI衬底(1)和互连金属(9)；SOI衬底的两侧设有隔离槽(2)，SOI衬底的上表面设有源区(3)、沟道区(4)和漏区(6)；沟道区的表面设有栅介质层(5)；栅介质层的上表面设有栅极金属(7)；栅介质层的左侧设有生物填层(8)。其中，源区采用锗材料；沟道区和栅介质层均采用L形结构；沟道区采用非均匀掺杂，水平沟道区(41)用本征掺杂，垂直沟道区(42)用浓度为10 |
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| 搜索关键词： | 基于 场效应 晶体管 半导体 生物 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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