[发明专利]发光二极管芯片、发光装置及电子装置有效
| 申请号： | 201910222409.0 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN109904293B | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 金艺瑟;金京完;禹尚沅;金智惠 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/60;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 彭雪瑞;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道安山市檀*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管芯片、发光装置及电子装置。发光二极管芯片包括：基板，包括形成在上表面的多个突出部，且上表面局部地露出；发光构造体，位于所述基板上，包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层及位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层，且包括包含所述活性层及所述第二导电型半导体层的台面；接触电极，位于所述台面上，包括透光性导电氧化物；绝缘层，覆盖所述发光构造体的侧面、上表面及所述基板的上表面，包括使所述第一导电型半导体层局部地露出的第一开口部及使所述接触电极局部地露出的第二开口部；以及第一焊垫电极及第二焊垫电极，位于所述绝缘层上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 发光 装置 电子 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：基板，包括形成在上表面的多个突出部，且上表面局部地露出；发光构造体，位于所述基板上，包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层及位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层，且包括包含所述活性层及所述第二导电型半导体层的台面；接触电极，位于所述台面上，包括透光性导电氧化物；绝缘层，覆盖所述发光构造体的侧面、上表面及所述基板的上表面，包括使所述第一导电型半导体层局部地露出的第一开口部及使所述接触电极局部地露出的第二开口部；以及第一焊垫电极及第二焊垫电极，位于所述绝缘层上，且所述台面以沿所述台面的外缘露出所述第一导电型半导体层的上表面的方式配置到所述第一导电型半导体层的一部分区域内，所述台面包括第一部分及第二部分，所述第一部分包括从所述台面的侧面凹陷的多个沟槽，所述沟槽形成到所述第一部分的至少三个侧面，所述第一开口部使通过所述沟槽露出的所述第一导电型半导体层的至少一部分露出，所述第一焊垫电极位于所述第一部分上，覆盖所述沟槽的侧面的至少一部分而通过所述第一开口部与所述第一导电型半导体层欧姆接触，所述第二焊垫电极位于所述第二部分上，通过所述第二开口部而与所述接触电极电连接。
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