[发明专利]分栅式存储器及其形成方法

摘要

本发明涉及一种分栅式存储器及其形成方法，所述分栅式存储器包括：衬底，在所述衬底上形成有源极区和漏极区，所述源极区上方形成与所述源极区接触导通的源极线；擦除栅，设置于所述源极线的上方；以及横向相邻地设置于所述源极区和漏极区之间的衬底之上的浮栅和字线，其中，所述浮栅靠近所述源极线，所述字线远离所述源极线；所述源极线、擦除栅、浮栅和字线两两之间均形成有绝缘层。本发明通过设置高于衬底上表面的源极线，使得浮栅与源极区在竖直方向上形成重叠区域，且由于源极线的高度可调，从而实现了在保证二者之间的耦合系数的同时，减小晶圆尺寸的目的。

主权项

1.一种分栅式存储器，其特征在于，包括：衬底，在所述衬底上形成有源极区和漏极区，所述源极区上方形成与所述源极区接触导通的源极线；擦除栅，设置于所述源极线的上方；以及横向相邻地设置于所述源极区和漏极区之间的衬底之上的浮栅和字线，其中，所述浮栅靠近所述源极线，所述字线远离所述源极线；所述源极线、擦除栅、浮栅和字线两两之间均形成有绝缘层。