[发明专利]一种3D NAND存储器件的制造方法

摘要

本发明提供一种3D NAND存储器件的制造方法，在堆叠层中形成存储单元串之后，在台阶区的介质层之上形成介质材料的隔离层，之后，利用贯通堆叠层的栅线缝隙，进行堆叠层中牺牲层的替换，在将牺牲层替换为栅极层后，进行栅线缝隙的填充以及平坦化工艺，在栅线缝隙中形成共源接触，且平坦化工艺以核心存储区的介质层为停止层。这样，在台阶区上额外形成介质材料的隔离层，隔离层将台阶区的介质层抬高，在形成共源接触时，即使在台阶区会存在导电材料的残留，在平坦化时，会将残留的接触材料一并去除，从而，避免台阶区导电材料的残留，提高器件良率。