[发明专利]复合烧结体、半导体制造装置部件和复合烧结体的制造方法有效
| 申请号： | 201910201625.7 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN110294630B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 八木援;胜田祐司 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/582 | 分类号： | C04B35/582;C04B35/443;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 王轶;郑雪娜 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种复合烧结体、半导体制造装置部件和复合烧结体的制造方法。上述复合烧结体具备AlN和MgAl |
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| 搜索关键词： | 复合 烧结 半导体 制造 装置 部件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种复合烧结体，具备氮化铝和尖晶石，所述复合烧结体的开口气孔率小于0.1％，相对密度为99.5％以上，所述复合烧结体中的所述氮化铝和所述尖晶石的合计含有率为95重量％～100重量％，所述复合烧结体中的所述尖晶石的含有率为15重量％～70重量％。
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