[发明专利]一种硅基电荷俘获型存储器件及制备方法有效

专利信息
申请号: 201910192421.1 申请日: 2019-03-14
公开(公告)号: CN110047916B 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 杨友斌;殷江 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: H01L29/423 分类号: H01L29/423;H01L29/51;H01L27/11568;H01L21/285
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 陈建和
地址: 210093 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 硅基电荷俘获型存储器件,在结构为p‑Si/隧穿层介质/电荷俘获介质/阻挡层介质/栅电极的存储器件中,存储器件由下至上包括衬底、隧穿层、电荷俘获介质层、阻挡层以及栅电极;隧穿层厚度为1~5nm的绝缘层,电荷俘获介质的导带底与p‑Si的导带底具有匹配的能带结构;电荷俘获介质是两种单元氧化物的混合物,且与硅相比两种介质均具有较高的介电系数,介电系数为6~100。制备出的电荷俘获介质的导带底与p‑Si的导带底具有匹配的能带结构,二者势能差值的范围为‑1.5eV~1.5eV,有利于使电子保持在电荷俘获介质内,提高硅基电荷俘获型存储器件的存储性能。
搜索关键词: 一种 电荷 俘获 存储 器件 制备 方法
【主权项】:
1.硅基电荷俘获型存储器件,其特征为,在结构为p‑Si/隧穿层介质/电荷俘获介质/阻挡层介质/栅电极的存储器件中,存储器件由下至上包括衬底、隧穿层、电荷俘获介质层、阻挡层以及栅电极;隧穿层厚度为1~5nm的绝缘层,电荷俘获介质的导带底与p‑Si的导带底具有匹配的能带结构;电荷俘获介质是两种单元氧化物的混合物,且与硅相比两种介质均具有较高的介电系数,介电系数为6~100。
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