[发明专利]一种硅基电荷俘获型存储器件及制备方法有效
| 申请号： | 201910192421.1 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110047916B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 杨友斌;殷江 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L27/11568;H01L21/285 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电荷 俘获 存储 器件 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基电荷俘获型存储器件，其特征在于，硅基电荷俘获型存储器件从下至上由p-Si/隧穿层介质/电荷俘获介质层/阻挡层介质/栅电极构成；电荷俘获介质层的导带底与p-Si的导带底具有匹配的能带结构层；电荷俘获介质层是两种单元氧化物的混合物，且与硅相比两种单元氧化物均具有高的介电系数，两种单元氧化物的介电系数为6~100；
制备的电荷俘获介质层具有非晶结构，厚度为0.5~20nm；该电荷俘获介质层所包含的其中一种单元氧化物的导带底的势能比p-Si的导带底的势能高，另一种单元氧化物的导带底的势能比p-Si的导带底的势能低，电荷俘获介质层为(Al2O3)0.3(TiO2)0.7，隧穿层介质为Al2O3，隧穿层介质厚度为1~5nm；
在p-Si衬底和隧穿层介质Al2O3间增加一层热氧化的SiO2层；以减少p-Si衬底和Al2O3间界面态密度，SiO2层加Al2O3层的总厚度为1~5nm；
该电荷俘获介质层的制备方法包括射频磁控溅射方法、电子束蒸发方法、化学沉积方法或原子层沉积方法；
该电荷俘获介质层的导带底的势能与p-Si导带底的势能差值的范围为-1.5eV~1.5eV。
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