[发明专利]一种低介电常数硅基微波介质陶瓷材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201910191942.5 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN109928753A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 宋开新;林乾毕;宋正军;刘兵 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/505 | 分类号： | C04B35/505;C04B35/16 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 陆永强 |
| 地址： | 310018*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低介电常数硅基微波介质陶瓷材料及其制备方法，原料成分为Y2O3、SiO2、SrCO3，所述原料成分以SrY2Si3O10(SYSO)化学计量比进行配比。本发明采用传统的高温固相反应法，制备方法简单，在致密化烧结温度下制备得到的微波介质陶瓷材料微波介电性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 微波介质陶瓷材料 制备 低介电常数 硅基 高温固相反应法 微波介电性能 化学计量比 致密化烧结 传统的 配比 | ||
【主权项】：
1.一种低介电常数硅基微波介质陶瓷材料，其特征在于，其原料成分为SrCO3、SiO2、Y2O3；其中，SrCO3、SiO2、Y2O3以SrY2Si3O10(SYSO)化学计量比进行配比，所述微波介质陶瓷材料的介电常数εr范围为7.1～9.3，品质因数Qf的范围为12800GHz～64100GHz，谐振频率温度系数τf范围为‑35ppm/℃～‑31ppm/℃。
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