[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201910189466.3 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN109887884A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 毛淑娟;罗军;许静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，在进行金属硅化工艺之前，先对器件结构的源漏区进行掺杂，该次掺杂后使得源漏区的表层非晶化，这样，在源漏区的金属硅化工艺中，非晶化的表层更有助于硅化物反应，同时，非晶化的掺杂的杂质在金属硅化物层与源漏晶态结构的界面处分凝，可以降低源漏的接触势垒，而非晶化的表层在硅化过程中固相外延生长，能够提升源漏区中杂质浓度，有效降低源漏区的接触电阻率，从而，全面提高源漏区的接触性能，提高器件的整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 源漏区 非晶化 金属硅化工艺 半导体器件 源漏 掺杂 金属硅化物层 硅化物反应 接触电阻率 固相外延 硅化过程 接触势垒 接触性能 晶态结构 器件结构 掺杂的 制造 生长 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有器件结构，所述器件结构包括栅极以及栅极两侧衬底中的源漏区，所述源漏区具有晶态结构；对所述源漏区进行掺杂，以使得所述源漏区的表层非晶化，所述掺杂的杂质具有与所述源漏区相同的杂质类型；进行金属硅化工艺，以在所述源漏区上形成金属硅化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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