[发明专利]一种SiC单晶金属杂质的均匀掺杂的方法有效
| 申请号： | 201910186571.1 | 申请日： | 2019-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN109722712B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 徐南;彭燕;徐现刚;陈秀芳;于国建 | 申请（专利权）人： | 广州南砂晶圆半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王楠 |
| 地址： | 511458 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种SiC单晶金属杂质的均匀掺杂的方法，属于晶体生长技术领域，方法包括将SiC粉料和待掺杂材料均匀混合后，利用恒温区高温常压加热形成均匀掺杂金属的多晶SiC块体，将SiC多晶块切割为小体积立方块，再与SiC粉料均匀混合，放入PVT生长用石墨坩埚中进行单晶生长，按常规单晶生长方法即获得既定掺杂浓度的均匀掺杂金属杂质的SiC，SiC多晶块中金属杂质在PVT生长中会随着SiC的分解逐步均匀释放，从而达到均匀掺杂的目的，本方法对SiC单晶设备要求低，无需改造，不引入其他杂质且重复性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 金属 杂质 均匀 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC单晶金属杂质的均匀掺杂的方法，包括步骤如下：(1)将SiC粉料和待掺杂材料进行均匀混合，以待掺杂材料在SiC中的固溶度作为待掺杂材料的最大掺杂计量值；(2)混合完毕后，将混合后的粉料填满高纯密封石墨坩埚，并放入加热设备中，置于恒温区；封闭加热设备后，反复抽充后除去生长腔内残余的空气，通入惰性气体作为背景气体，压力保持常压；然后升温，保温后再降温至常温；取出已形成的金属掺杂均匀的多晶块；(3)将步骤(2)处理后的多晶块切割为块状多晶，块状多晶为立方块或者长方块；(4)将块状多晶粉料与生长用SiC高纯粉料再次均匀混合，并放入PVT生长用石墨坩埚中进行单晶生长，按常规单晶生长方法获得既定掺杂浓度的均匀掺杂金属杂质的SiC。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州南砂晶圆半导体技术有限公司，未经广州南砂晶圆半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910186571.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
