[发明专利]金属氧化物薄膜图案化的方法及应用有效
| 申请号： | 201910182297.0 | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111180310B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 柯秋坛 | 申请（专利权）人： | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 向薇;黄爱娇 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明涉及金属氧化物薄膜图案化的方法及应用。所述金属氧化物薄膜图案化的方法，包括以下步骤：提供混合溶液，所述混合溶液包括金属氧化物前驱体和β二酮类化合物；提供衬底，在所述衬底表面沉积所述混合溶液，进行紫外光照射处理或O |
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| 搜索关键词： | 金属 氧化物 薄膜 图案 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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