[发明专利]一种InSb单晶生长前杂质预处理用单晶炉及除杂方法在审
| 申请号： | 201910168422.2 | 申请日： | 2019-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN109778305A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 于凯;王健;霍晓青;程红娟;练小正;李强 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 胡京生 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明专利公开了一种InSb单晶生长前杂质预处理用单晶炉及除杂方法，在InSb单晶生长之前，单晶炉的提拉杆先装上一套原料除杂装置，待原料熔化后将InSb熔体表面的浮渣留存在除杂装置内，关闭挡板阀，开启上炉体将除杂装置卸下并更换上籽晶杆，关闭上炉体并重新打开挡板阀准备InSb单晶生长。本发明技术效果是不仅可以对InSb原料进行杂质的预处理，还可以保证引晶放肩操作过程中视野的清晰度。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶生长 预处理 除杂装置 单晶炉 挡板阀 上炉体 除杂 操作过程 技术效果 原料熔化 提拉杆 籽晶杆 放肩 浮渣 引晶 卸下 视野 保证 | ||
【主权项】：
1.一种InSb单晶生长前杂质预处理用单晶炉，包括上炉体（1）、提拉杆（2）、挡板阀（3）、下炉体（4）、单晶生长坩埚（5）、引晶装置（6）、除杂装置（7），其中引晶装置（6）包括籽晶杆（6‑1）和籽晶（6‑2），其特征在于：所述的挡板阀（3）、下炉体（4）固定成一体，上炉体（1）置于挡板阀（3）上密合接触，提拉杆（2）安装于上炉体（1）内顶端中心位置可上下提拉，单晶生长甘锅（5）置于下炉体（4）内底端面中心位置，除杂装置（7）在单晶生长前的杂质预处理时装于提拉杆（2）上，除杂后摘掉并引晶装置（6）装于提拉杆（2）上，所述的除杂装置（7），包括除杂接头（7‑1）、钼丝（7‑2）、除杂坩埚（7‑3），除杂坩埚（7‑3）的底端开有数条细缝，除杂坩埚（7‑3）通过钼丝（7‑2）吊装在除杂接头（7‑1）下端。
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