[发明专利]半导体存储器模块和包括其的存储器系统在审
| 申请号： | 201910166951.9 | 申请日： | 2019-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN110389721A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 金珉修;姜志锡;金敏秀;金昞直;申院济;李东勋;李妍和;李浩荣;张有镇;崔仁寿 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张川绪;王兆赓 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了半导体存储器模块和包括其的存储器系统。所述半导体存储器模块可包括随机存取存储器、非易失性存储器、缓冲存储器以及控制器，其中，控制器被配置为：响应于控制信号的激活，对缓冲存储器执行读取操作。控制器还可被配置为：根据读取操作的结果，执行将存储在随机存取存储器中的第一数据存储在非易失性存储器中的刷入操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体存储器模块 控制器 非易失性存储器 存储器系统 缓冲存储器 读取操作 存储 随机存取存储器中 随机存取存储器 第一数据 控制信号 配置 激活 响应 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器模块，包括：随机存取存储器；非易失性存储器；缓冲存储器；以及控制器，被配置为：响应于控制信号的激活，对缓冲存储器执行读取操作，其中，控制器还被配置为：根据读取操作的结果，执行将存储在随机存取存储器中的第一数据存储在非易失性存储器中的刷入操作。
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