[发明专利]半导体存储器模块和包括其的存储器系统在审

专利信息
申请号: 201910166951.9 申请日: 2019-03-06
公开(公告)号: CN110389721A 公开(公告)日: 2019-10-29
发明(设计)人: 金珉修;姜志锡;金敏秀;金昞直;申院济;李东勋;李妍和;李浩荣;张有镇;崔仁寿 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 张川绪;王兆赓
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 半导体存储器模块 控制器 非易失性存储器 存储器系统 缓冲存储器 读取操作 存储 随机存取存储器中 随机存取存储器 第一数据 控制信号 配置 激活 响应
【权利要求书】:

1.一种半导体存储器模块,包括:

随机存取存储器;

非易失性存储器;

缓冲存储器;以及

控制器,被配置为:响应于控制信号的激活,对缓冲存储器执行读取操作,

其中,控制器还被配置为:根据读取操作的结果,执行将存储在随机存取存储器中的第一数据存储在非易失性存储器中的刷入操作。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器模块,其中,当根据来自外部主机装置的请求将第一数据写入随机存取存储器时,控制器还被配置为将第一数据的信息存储在缓冲存储器中。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器模块,其中,在读取操作期间,控制器还被配置为从缓冲存储器读取所述信息,

其中,控制器根据所述信息从存储在随机存取存储器中的数据选择第一数据。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器模块,其中,控制器还被配置为:在将第一数据存储在非易失性存储器中之后,从缓冲存储器移除所述信息。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器模块,其中,存储在随机存取存储器中的数据还包括不是由外部主机装置写入的第二数据,

其中,第二数据在刷入操作期间不被存储在非易失性存储器中。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器模块,其中,随机存取存储器是非易失性存储器的高速缓冲存储器。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器模块,其中,刷入操作包括被执行以读取存储在随机存取存储器中的第一数据然后将第一数据存储在缓冲存储器中的第一操作。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器模块,其中,刷入操作还包括将存储在缓冲存储器中的第二数据写入非易失性存储器的第二操作。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器模块,其中,控制器被配置为:在第一操作之前执行第二操作。

10.根据权利要求7所述的半导体存储器模块,其中,控制器还被配置为:执行将存储在缓冲存储器中的第二数据写入非易失性存储器的后台操作。

11.根据权利要求7所述的半导体存储器模块,其中,当随机存取存储器的可用存储容量被减少到低于阈值时,控制器还被配置为执行刷入操作。

12.根据权利要求7所述的半导体存储器模块,其中,第一数据是存储在随机存取存储器中的部分数据。

13.一种半导体存储器模块,包括:

随机存取存储器;

非易失性存储器;

缓冲存储器;以及

控制器,被配置为:响应于控制信号的激活,对缓冲存储器和随机存取存储器执行读取操作,并执行将从缓冲存储器读取的第一数据存储在非易失性存储器中并将从随机存取存储器读取的第二数据存储在缓冲存储器中的刷入操作。

14.根据权利要求13所述的半导体存储器模块,其中,控制器还被配置为:通过后台操作,将存储在缓冲存储器中的第二数据存储在非易失性存储器中。

15.根据权利要求13所述的半导体存储器模块,其中,控制器还被配置为:响应于控制信号的激活,从缓冲存储器读取写入表,

其中,控制器使用写入表从存储在随机存取存储器中的数据选择第二数据。

16.根据权利要求15所述的半导体存储器模块,其中,写入表包含关于根据来自外部主机装置的请求而写入随机存取存储器中的数据的信息。

17.根据权利要求15所述的半导体存储器模块,其中,当刷入操作完成时,控制器还被配置为初始化写入表。

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