[发明专利]形成三维存储器的方法以及三维存储器在审
| 申请号： | 201910151716.4 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN109727995A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 薛磊 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/1157;H01L27/11556;H01L27/11524;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种形成三维存储器的方法以及三维存储器，该三维存储器包括一种三维存储器，包括衬底、经掺杂的阱区、位于所述衬底上的堆叠层以及垂直穿过所述堆叠层且到达所述阱区的沟道结构。所述经掺杂的阱区位于所述衬底中，所述阱区与所述衬底接触。所述堆叠层包括间隔的栅极层。所述沟道结构包括沟道层，其中所述沟道层位于所述阱区的部分从所述沟道结构的侧面露出，从而与所述阱区接触。本发明由于不必在沟道孔底部形成硅外延层，可以避免这一技术的负面效果。 | ||
| 搜索关键词： | 三维存储器 阱区 沟道结构 堆叠层 衬底 掺杂的 沟道层 衬底接触 垂直穿过 硅外延层 栅极层 沟道 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器，包括：衬底；经掺杂的阱区，位于所述衬底中，所述阱区与所述衬底接触；位于所述衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括间隔的栅极层；垂直穿过所述堆叠层且到达所述阱区的沟道结构，所述沟道结构包括沟道层，其中所述沟道层位于所述阱区的部分从所述沟道结构的侧面露出，从而与所述阱区接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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