[发明专利]GaN基高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201910149929.3 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110060923A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;周飚;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336;B22F1/00;B22F9/16;B22F9/24;C23C14/06;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/56 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法，属于高电子迁移率晶体管领域。所述高电子迁移率晶体管外延片包括：衬底、在所述衬底上顺次沉积的GaTe层、金属纳米粒子层、三维形核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、以及GaN帽层，所述金属纳米粒子层包括若干位于所述GaTe层上的金属纳米粒子、且各个所述金属纳米粒子均与所述GaTe层接触，所述金属纳米粒子的直径为1～20nm，相邻所述金属纳米粒子之间存在间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 高电子迁移率晶体管 金属纳米粒子 外延片 金属纳米粒子层 衬底 制备 缓冲层 形核层 帽层 沉积 三维 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基高电子迁移率晶体管外延片，其特征在于，所述高电子迁移率晶体管外延片包括：衬底、在所述衬底上顺次沉积的GaTe层、金属纳米粒子层、三维形核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、以及GaN帽层，所述金属纳米粒子层包括若干位于所述GaTe层上的金属纳米粒子、且各个所述金属纳米粒子均与所述GaTe层接触，所述金属纳米粒子的直径为1～20nm，相邻所述金属纳米粒子之间存在间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
