[发明专利]基于氧化石墨烯的RRAM器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910149459.0 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN109860390A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 沈棕杰;赵春;赵策洲;杨莉;张艺;罗天;黄彦博 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于氧化石墨烯的RRAM器件及其制备方法，属于电子器件技术领域。所述基于氧化石墨烯的RRAM器件包括由下至上层叠设置的导电基底、电介质层和顶电极层；所述顶电极层包括若干阵列在电介质层上的顶电极，所述顶电极在远离电介质层的表面设有保护层。本发明采用溶液法制造电介质层，实现低成本RRAM器件的制备，设备和原料投资较少，可实现大规模工业应用。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质层 氧化石墨烯 制备 顶电极层 顶电极 层叠设置 电子器件 工业应用 保护层 导电基 低成本 溶液法 制造 投资 | ||
【主权项】：
1.一种基于氧化石墨烯的RRAM器件，其特征在于，包括由下至上层叠设置的导电基底、电介质层和顶电极层；所述顶电极层包括若干阵列在电介质层上的顶电极，所述顶电极在远离电介质层的表面设有保护层；所述电介质层为氧化石墨烯薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西交利物浦大学，未经西交利物浦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910149459.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
