[发明专利]碳化硅肖特基二极管在审
| 申请号： | 201910147139.1 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN111628008A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 甘新慧;蒋正勇;朱家从;计建新;盛况;郭清 | 申请（专利权）人： | 无锡华润微电子有限公司;浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅肖特基二极管。包括有源区和有源区外围的终端区，所述有源区包括掺杂区和未设置所述掺杂区的肖特基区，所述掺杂区的导电类型与所述有源区的衬底的导电类型相反，所述有源区被划分为有源区中心区域和所述有源区中心区域外围的有源区边缘区域，所述有源区边缘区域的S值比所述有源区中心区域的S值大，所述S值为所述肖特基区的面积与所述掺杂区的面积的比值，所述有源区边缘区域的面积占有源区总面积的40％‑80％。通过将有源区中心区域的掺杂区设置的更密集，改善了电子迁移率的问题，更好地避免了热点失效。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
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