[发明专利]碳化硅肖特基二极管在审
| 申请号： | 201910147139.1 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN111628008A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 甘新慧;蒋正勇;朱家从;计建新;盛况;郭清 | 申请（专利权）人： | 无锡华润微电子有限公司;浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 肖特基 二极管 | ||
1.一种碳化硅肖特基二极管，包括有源区和有源区外围的终端区，所述有源区包括掺杂区和未设置所述掺杂区的肖特基区，所述掺杂区的导电类型与所述有源区的衬底的导电类型相反，其特征在于，所述有源区被划分为有源区中心区域和所述有源区中心区域外围的有源区边缘区域，所述有源区中心区域和所述有源区边缘区域均设置有所述掺杂区和肖特基区，所述有源区边缘区域的S值比所述有源区中心区域的S值大，所述S值为所述肖特基区的面积与所述掺杂区的面积的比值，所述有源区边缘区域的面积占有源区总面积的40％-80％。
2.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述有源区边缘区域由外到内包括至少两个子区，且更外部的子区S值比更内部的子区S值要大。
3.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述有源区中心区域由外到内包括至少两个子区，且更外部的子区S值比更内部的子区S值要大。
4.根据权利要求2或3所述的碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述有源区边缘区域和所述有源区中心区域均由外到内包括至少两个子区，且所有子区的S值由外部向内部依次递减。
5.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基区从背面到正面依次包括背面金属、所述衬底、正面金属，所述正面金属与衬底正面形成肖特基接触。
6.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基区从背面到正面依次包括背面金属、所述衬底、外延层、正面金属，所述外延层的导电类型与所述掺杂区的导电类型相反，所述正面金属与外延层正面形成肖特基接触。
7.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述有源区边缘区域的S值为2.5-5。
8.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述有源区中心区域的S值为1-2.5。
9.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述掺杂区为P型重掺杂注入区。
10.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述有源区的图形为条栅形。
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