[发明专利]LDMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201910141854.4 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111613663B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 陈德艳;李茂;辜良智;郑大燮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 汤陈龙;李丽 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种LDMOS器件及其制作方法，所述LDMOS器件包括：衬底，所述衬底内形成有漂移区；栅极结构，位于所述漂移区一侧的所述衬底上，并覆盖部分所述漂移区；漏极区，位于所述栅极结构一侧的漂移区内；位于所述衬底上的隔离结构，所述隔离结构位于所述漏极区与所述栅极结构之间；栅电极，位于所述栅极结构上且电连接所述栅极结构；漏电极，位于所述漏极区上且电连接所述漏极区；阻挡层，保形覆盖所述栅电极和所述漏电极之间的漂移区和隔离结构；位于所述阻挡层上的沟槽电极，所述沟槽电极位于所述隔离结构与所述栅极结构之间，且至少覆盖部分隔离结构的顶部。所述LDMOS器件提高了器件击穿电压，且不会增大导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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