[发明专利]RF开关、集成电路和装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201910139261.4 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN109936355B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | V·N·K·马拉蒂 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 场效应晶体管(FET)电路、RF开关和装置的实施例包括：源极端和漏极端，其耦合到半导体基板的有源表面；沟道，其在所述源极端与所述漏极端之间的所述基板中；以及多个栅极结构，其耦合到所述沟道上的所述有源表面。将沟道触点耦合到第一对所述栅极结构之间的所述沟道上的所述有源表面，并且将第一电容器电耦合于所述沟道触点与所述多个栅极结构的栅极结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | rf 开关 集成电路 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管(FET)电路，其特征在于，其包括：半导体基板，其具有有源表面；源极端，其耦合到所述有源表面；漏极端，其耦合到所述有源表面；多栅极FET沟道，其在所述源极端与所述漏极端之间的所述半导体基板中；多个栅极结构，其耦合到所述多栅极FET沟道上的所述有源表面；第一沟道触点，其耦合到第一对所述栅极结构之间的所述多栅极FET沟道上的所述有源表面；以及第一电容器，其电耦合于所述第一沟道触点与所述多个栅极结构的第一栅极结构之间。
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