[发明专利]RF开关、集成电路和装置及其制造方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管FET电路，其特征在于，其包括：

半导体基板，其具有有源表面；

源极端，其耦合到所述有源表面；

漏极端，其耦合到所述有源表面；

多栅极FET沟道，其在所述源极端与所述漏极端之间的所述半导体基板中；

多个栅极结构，其耦合到所述多栅极FET沟道上的所述有源表面；

第一沟道触点，其耦合到第一对所述栅极结构之间的所述多栅极FET沟道上的所述有源表面；

第一电容器，其电耦合于所述第一沟道触点与所述多个栅极结构的第一栅极结构之间；

第二电容器，其电耦合于所述第一沟道触点与所述源极端之间；以及

第三电容器，其电耦合于所述第一沟道触点与所述漏极端之间。

2.根据权利要求1所述的FET电路，其特征在于，其进一步包括：

第二沟道触点，其耦合到第二对所述栅极结构之间的所述有源表面；以及

第四电容器，其电耦合于所述第一沟道触点与所述第二沟道触点之间。

3.根据权利要求2所述的FET电路，其特征在于，所述第一电容器、所述第二电容器和所述第三电容器各自具有0.05皮法到5.0皮法的范围内的电容值。

4.根据权利要求1所述的FET电路，其特征在于，其进一步包括：

第一电阻器，其与所述第二电容器并联耦合于所述第一沟道触点与所述源极端之间；以及

第二电阻器，其与所述第三电容器并联耦合于所述第一沟道触点与所述漏极端之间。

5.根据权利要求1所述的FET电路，其特征在于，所述第一电容器是金属-绝缘体-金属电容器，其与所述半导体基板一体形成于所述有源表面上。

6.根据权利要求1所述的FET电路，其特征在于，所述半导体基板选自包括以下的组：砷化镓基板、硅基板、绝缘体上硅CMOS基板、体硅CMOS基板、氮化镓基板、硅上氮化镓基板和碳化硅上氮化镓基板。

7.一种射频开关，其特征在于，其包括：

天线节点；

第一发射/接收T/R节点；

第一场效应晶体管FET，其在所述天线节点与所述第一T/R节点之间，其中所述第一FET包括

半导体基板，其具有有源表面，

源极端，其耦合到所述有源表面，

漏极端，其耦合到所述有源表面，

多栅极FET沟道，其在所述源极端与所述漏极端之间的所述半导体基板中，以及

多个栅极结构，其耦合到所述多栅极FET沟道上的所述有源表面；

第一沟道触点，其耦合到第一对所述栅极结构之间的所述多栅极FET沟道上的所述有源表面；

第一电容器，其电耦合于所述第一沟道触点与所述多个栅极结构的第一栅极结构之间；

第二电容器，其电耦合于所述第一沟道触点与所述源极端之间；以及

第三电容器，其电耦合于所述第一沟道触点与所述漏极端之间。

8.一种制造场效应晶体管FET电路的方法，其特征在于，所述方法包括：

通过以下方式在半导体基板的有源表面中和其上方形成FET：

将源极端耦合到所述有源表面，

将漏极端耦合到所述有源表面，其中多栅极FET沟道存在于所述源极端与所述漏极端之间的所述半导体基板中，以及

将多个栅极结构耦合到所述多栅极FET沟道上的所述有源表面；

将第一沟道触点耦合到第一对所述栅极结构之间的所述多栅极FET沟道上的所述有源表面；以及

将第一电容器电耦合于所述第一沟道触点与所述多个栅极结构的第一栅极结构之间；

将第二电容器电耦合于所述第一沟道触点与所述源极端之间；以及

将第三电容器电耦合于所述第一沟道触点与所述漏极端之间。