[发明专利]RF开关、集成电路和装置及其制造方法

说明书

场效应晶体管(FET)电路、RF开关和装置的实施例包括：源极端和漏极端，其耦合到半导体基板的有源表面；沟道，其在所述源极端与所述漏极端之间的所述基板中；以及多个栅极结构，其耦合到所述沟道上的所述有源表面。将沟道触点耦合到第一对所述栅极结构之间的所述沟道上的所述有源表面，并且将第一电容器电耦合于所述沟道触点与所述多个栅极结构的栅极结构之间。

技术领域

本文描述的主题的实施例总体上涉及多栅极晶体管、RF开关、集成电路和包括多栅极晶体管的装置，以及用于制造这种晶体管、RF开关、集成电路和装置的方法。

背景技术

微波场效应晶体管(FET)广泛用于各种类型的射频(RF)电路，如功率放大器、RF开关和其它电路。在一些RF电路和装置中，“多栅极”FET可能是比更常规的单栅极FET更理想的选择。本质上，多栅极FET是单片晶体管装置，其包括漏极端与源极端之间的可变导电性沟道，以及位于沟道上方的多个栅极。提供给多个栅极的电信号在FET的操作期间控制沟道的导电性。与单栅极FET相比，多栅极的实施方式可以实现对沟道的更好的电控制。这进而可以实现更有效地抑制“关断状态”漏电流和/或“接通”状态下的增强电流(即驱动电流)。

在一些系统中，可以实施由多栅极FET的堆叠构成的开关(即，几个多栅极FET的串联耦合布置)，以实现更高的功率处理能力。在这种开关中，跨处于关断状态的堆叠多栅极FET的非均匀RF交流(AC)电压分布可能导致堆叠中的一个或多个第一多栅极FET的过早击穿，这反过来可能降低开关的功率处理能力。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种场效应晶体管(FET)电路，其包括：

半导体基板，其具有有源表面；

源极端，其耦合到所述有源表面；

漏极端，其耦合到所述有源表面；

多栅极FET沟道，其在所述源极端与所述漏极端之间的所述半导体基板中；

多个栅极结构，其耦合到所述多栅极FET沟道上的所述有源表面；

第一沟道触点，其耦合到第一对所述栅极结构之间的所述多栅极FET沟道上的所述有源表面；以及

第一电容器，其电耦合于所述第一沟道触点与所述多个栅极结构的第一栅极结构之间。

在一个或多个实施例中，所述FET电路进一步包括：

第二电容器，其电耦合于所述第一沟道触点与所述源极端之间；以及

第三电容器，其电耦合于所述第一沟道触点与所述漏极端之间。

在一个或多个实施例中，所述FET电路进一步包括：

第二沟道触点，其耦合到第二对所述栅极结构之间的所述有源表面；以及

第四电容器，其电耦合于所述第一沟道触点与所述第二沟道触点之间。

在一个或多个实施例中，所述第一电容器、所述第二电容器和所述第三电容器各自具有0.05皮法到5.0皮法的范围内的电容值。

在一个或多个实施例中，所述FET电路进一步包括：

第一电阻器，其与所述第二电容器并联耦合于所述第一沟道触点与所述源极端之间；以及

第二电阻器，其与所述第三电容器并联耦合于所述第一沟道触点与所述漏极端之间。

在一个或多个实施例中，所述FET电路进一步包括：

第二沟道触点，其耦合到第二对所述栅极结构之间的所述有源表面；以及

第四电容器，其电耦合于所述第一沟道触点与所述第二沟道触点之间。