[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910137521.4 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN110880452A | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 津村一道;东和幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L23/48;H01L23/528;H01L23/532 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吴倩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式涉及半导体装置。提供具有基板间的良好的界面特性的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第1基板、第2基板、导电性的第1界面层、绝缘性的第2界面层。第1基板具备包含第1金属元素的第1金属层、包含第1元素及氧的第1绝缘层。第2基板具备包含第2金属元素的第2金属层、包含第2元素及氧的第2绝缘层。第1界面层被设置于第1金属层与第2金属层的界面上，且包含第1金属元素及第2金属元素中的至少一者和第3金属元素。第2界面层被设置于第1绝缘层与第2绝缘层的界面上，且包含第1元素及第2元素中的至少一者、第3金属元素和氧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
