[发明专利]一种硅片打磨液在审

专利信息
申请号: 201910123412.7 申请日: 2019-02-18
公开(公告)号: CN109913222A 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 李少平;万杨阳;贺兆波;张庭;尹印;冯凯;王书萍;张演哲;蔡步林 申请(专利权)人: 湖北兴福电子材料有限公司
主分类号: C09K13/08 分类号: C09K13/08;H01L21/306
代理公司: 宜昌市三峡专利事务所 42103 代理人: 成钢
地址: 443007 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种硅片打磨液。所述硅片打磨液主要用于硅片减薄,使其去除一定的厚度仍然保持很好的表面质量。该打磨液由氢氟酸、硝酸、硫酸、铵盐及超纯水组成。打磨液的蚀刻温度控制为28~32℃,优选30℃。采用搅拌工艺,其搅拌速率控制到300~350 r/min,优选330 r/min,以降低局部反应产生的HNO2活性物质和反应热,防止局部反应线速度增加,导致腐蚀不均匀。硅片表面质量是一项重要的指标,其粗糙度大小及缺陷多少将影响打磨硅片后续的加工,利用该打磨液对硅片进行化学腐蚀能够去除前端因机械研磨而产生的表面损伤层和微裂纹区,从而获得粗糙度低、缺陷少的表面。
搜索关键词: 打磨 硅片 局部反应 粗糙度 去除 优选 蚀刻 表面损伤层 硅片表面 硅片减薄 化学腐蚀 活性物质 机械研磨 速率控制 硝酸 不均匀 超纯水 反应热 氢氟酸 微裂纹 硫酸 铵盐 腐蚀 加工
【主权项】:
1.一种硅片打磨液,其特征在于:所述硅片打磨液由氢氟酸、硝酸、硫酸、铵盐及超纯水组成;所述的氢氟酸为电子级氢氟酸,质量浓度为45‑52%;所述的硝酸为电子级硝酸,质量浓度为65‑72%;所述的硫酸为电子级浓硫酸,质量浓度为97%~98%;所述的铵盐为优级纯,含量≥99.95%,其中氟化铵的质量浓度为35‑42%;所述的水为25℃下电阻率为17‑18MΩ•cm的超纯水。
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