[发明专利]基于硅-相变材料混合集成的多级光衰减器在审
| 申请号： | 201910119720.2 | 申请日： | 2019-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN109917565A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 周林杰;张涵予;陆梁军;陈建平;刘娇 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015;G02B6/12 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种基于硅‑相变材料混合集成的多级光衰减器，是在绝缘体硅平台上刻蚀形成硅波导,并在硅波导有源区域进行掺杂，形成掺杂硅波导,再在掺杂硅波导顶部的部分区域沉积相变材料层和保护层,结构整体上覆盖一定厚度的上包层，掺杂硅波导的两侧区域通过通孔与位于上包层外的阳极和阴极金属平板相连接构成。相对于传统的热光和电光衰减单元，本发明将相变材料与传统波导相结合构成的基于复合波导的超紧凑型光衰减器，通过控制电脉冲的数量和功率来控制相变材料的相变程度，实现多级光衰减，具有数字式调节、功耗低、集成度高等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 波导 相变材料 掺杂硅 光衰减器 混合集成 硅波导 上包层 紧凑型光衰减器 控制电脉冲 相变材料层 数字式 阳极 复合波导 结构整体 绝缘体硅 控制相变 两侧区域 区域沉积 衰减单元 阴极金属 集成度 保护层 传统的 光衰减 源区域 电光 功耗 刻蚀 热光 通孔 掺杂 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种基于硅‑相变材料混合集成的多级光衰减器，其特征在于绝缘体硅平台包括在本征硅层(1)上的绝缘体层(2)和形成在绝缘体层(2)上的第二本征硅层(3),在第二本征层(3)中形成硅波导(4),在硅波导(4)有源区域进行掺杂，形成掺杂硅波导(5),再在掺杂硅波导(5)的顶部的部分区域沉积相变材料层(6)和保护层(7),相变材料层(6)夹在掺杂硅波导(5)和保护层(7)之间，结构整体上覆盖一定厚度的上包层(8)，所述的掺杂硅波导(5)的两侧区域通过通孔(9)与位于所述的上包层(8)外的阳极(+)和阴极(‑)金属平板(10)相连接，在所述的阳极金属平板(10)和阴极金属平板(10)上施加电脉冲形成局部热点，从而诱导相变材料进行相变，硅波导(4)是脊形波导或条形波导，掺杂硅波导(5)的掺杂类型是P型硼掺杂或N型磷掺杂。
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