[发明专利]磁存储器在审
| 申请号： | 201910112142.X | 申请日： | 2019-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN110890117A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 金谷宏行 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 万利军;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁存储器。实施方式的磁存储器具备：半导体基板；晶体管，其设置于半导体基板上，具有第1端子、第2端子以及第1端子与第2端子之间的栅电极；第1接触部，其连接于第1端子，并且设置于半导体基板上的第1绝缘层内；第2接触部，其设置于第1绝缘层上的第2绝缘层内，并且含有铜；导电层，其设置于第2接触部上；以及磁阻效应元件，其设置于导电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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