[发明专利]磁存储器

权利要求书

1.一种磁存储器，其具备：

半导体基板；

晶体管，其设置于所述半导体基板上，具有第1端子、第2端子以及所述第1端子与所述第2端子之间的栅电极；

第1接触部，其连接于所述第1端子，并且设置于所述半导体基板上的第1绝缘层内；

第2接触部，其设置于所述第1绝缘层上的第2绝缘层内，并且含有铜；

导电层，其设置于所述第2接触部上；以及

磁阻效应元件，其设置于所述导电层上。

2.根据权利要求1所述的磁存储器，

所述第2绝缘层具有第1槽，所述第2接触部设置于所述第1槽内。

3.根据权利要求1所述的磁存储器，

所述导电层含有钽。

4.根据权利要求3所述的磁存储器，

所述导电层是非晶层。

5.根据权利要求1所述的磁存储器，

所述第1接触部含有钛和钨中的任一方。

6.根据权利要求1所述的磁存储器，

所述磁阻效应元件设置于下述位置，该位置在相对于所述半导体基板的表面垂直的方向上夹着所述导电层而与所述第2接触部重叠。

7.根据权利要求1所述的磁存储器，

所述导电层的膜厚比所述第2接触部的膜厚小。

8.根据权利要求1所述的磁存储器，

所述第2接触部的膜厚具有从5nm到100nm的范围内的值。

9.根据权利要求1所述的磁存储器，

所述导电层的膜厚具有从2nm到5nm的范围内的值。

10.根据权利要求1所述的磁存储器，

所述第2接触部包括第1部分、和所述导电层与所述第1部分之间的第2部分，

相对于所述基板的表面平行的方向上的所述第1部分的尺寸比相对于所述基板表面平行的方向上的所述第2部分的尺寸大。

11.根据权利要求1所述的磁存储器，

所述第2接触部具有梯形的剖面形状。

12.根据权利要求1所述的磁存储器，

所述第2接触部的膜厚为所述第1接触部的膜厚以上。

13.根据权利要求1所述的磁存储器，

所述磁阻效应元件包括：具有可变状态的磁化的第1磁性层、具有固定状态的磁化的第2磁性层、以及所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层。

14.一种磁存储器，其具备：

半导体基板；

晶体管，其设置于所述半导体基板上，具有第1端子、第2端子以及所述第1端子与所述第2端子之间的栅电极；

第1接触部，其连接于所述第1端子，并且设置于所述半导体基板上的第1绝缘层内；

第2接触部，其设置于所述第1绝缘层上的第2绝缘层内，并且含有铜；以及

磁阻效应元件，其设置于所述第2接触部上。

15.根据权利要求14所述的磁存储器，

所述第2绝缘层具有第1槽，所述第2接触部设置于所述第1槽内。

16.根据权利要求14所述的磁存储器，

所述导电层含有钽。

17.根据权利要求14所述的磁存储器，

所述导电层是非晶层。

18.根据权利要求14所述的磁存储器，

所述第1接触部含有钛和钨中的任一方。