[发明专利]磁存储器

说明书

本发明涉及磁存储器。实施方式的磁存储器具备：半导体基板；晶体管，其设置于半导体基板上，具有第1端子、第2端子以及第1端子与第2端子之间的栅电极；第1接触部，其连接于第1端子，并且设置于半导体基板上的第1绝缘层内；第2接触部，其设置于第1绝缘层上的第2绝缘层内，并且含有铜；导电层，其设置于第2接触部上；以及磁阻效应元件，其设置于导电层上。

本申请享有以日本专利申请2018-169546号(申请日：2018年9月11日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式主要涉及磁存储器。

背景技术

为了磁存储器的特性的提升，正在推进与包括磁阻效应元件的存储单元(memorycell)的结构和构成部件有关的研究和开发。

发明内容

实施方式提供能够实现特性的提升的磁存储器。

实施方式的磁存储器具备：半导体基板；晶体管，其设置于半导体基板上，具有第1端子、第2端子以及第1端子与第2端子之间的栅电极；第1接触部，其连接于第1端子，并且设置于半导体基板上的第1绝缘层内；第2接触部，其设置于第1绝缘层上的第2绝缘层内，并且含有铜；导电层，其设置于第2接触部上；以及磁阻效应元件，其设置于导电层上。

附图说明

图1是示出实施方式的磁存储器的构成例的图。

图2是示出磁存储器的存储单元阵列的构成例的图。

图3是磁存储器的磁阻效应元件的结构例的示意性的顶视图。

图4是磁存储器的磁阻效应元件的结构例的示意性的剖面图。

图5是示出实施方式的磁存储器的存储单元的结构例的示意性的剖面图。

图6～17是示出实施方式的磁存储器的制造方法的一工序的剖面工序图。

图18和图19是示出实施方式的磁存储器的变形例的图。

具体实施方式

以下，一边参照附图一边对本实施方式详细地进行说明。在以下的说明中，对具有相同的功能和构成的要素标注相同的标号。另外，在以下的各实施方式中，标注了在末尾带有用于进行区分的数字/英文的参照标号(例如，字线WL、位线BL、各种电压和信号等)的构成要素在不彼此进行区分也可以的情况下，使用省略了末尾的数字/英文的记载(参照标号)。

(1)实施方式

参照图1～图17对实施方式的磁存储器及其制造方法进行说明。

(a)构成例

参照图1～图5对实施方式的磁存储器的构成例进行说明。

图1是用于说明本实施方式的磁存储器的构成例的框图。

在图1中，本实施方式的磁存储器1电连接于例如控制器、处理器或主机器件等外部器件(未图示)。

磁存储器(存储器件)1接受来自外部器件的命令CMD、地址ADR、输入数据DIN以及各种控制信号CNT。磁存储器1向外部器件发送输出数据DOUT。

如图1所示，磁存储器1至少包括存储单元阵列100、行译码器120、字线驱动器(行控制电路)121、列译码器122、位线驱动器(列控制电路)123、开关电路124、写入电路(写入控制电路)125、读出电路(读出控制电路)126以及定序器127。

存储单元阵列100包括多个存储单元MC。