[发明专利]微型发光二极管芯片及其制造方法与转移方法有效
| 申请号： | 201910108360.6 | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN111463330B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 郭恩卿;邢汝博;李晓伟;韦冬 | 申请（专利权）人： | 成都辰显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 刘昕;南霆 |
| 地址： | 611731 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开一种微型发光二极管芯片及其制造方法与转移方法，属于半导体技术领域。该微型发光二极管芯片包括N电极、P电极层，以及依次层叠设置的N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层，N电极和P电极之一为尖端状电极、另一为平面电极，从而使得本发明的微型发光二极管芯片的结构上不是呈常见的长方体，可以将尖端状电极接插至承接基底后实现巨量转移。相对平整的整个平面，尖端状电极由于体型尖细其接插至承接基底后可以被承接基底上的金属块握持，而不会轻易脱离，从而可以在未加热焊接的情况下实现巨量转移，即将微型发光二极管芯片接插至承接基底的过程中不需要加热。 | ||
| 搜索关键词： | 微型 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 转移 | ||
【主权项】：
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