[发明专利]一种LED氧化物键合结构及制作方法在审
| 申请号： | 201910106834.3 | 申请日： | 2019-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN109860347A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 许晏铭;彭钰仁;王涛 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 225101*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED氧化物键合结构及制作方法，所述制作方法包括：提供一外延层结构；在所述外延层结构的一侧设置电极结构；在所述外延层结构背离所述电极结构的一侧设置透明键合层；对所述透明键合层背离所述外延层结构的表面进行研磨处理；提供一透明衬底；对所述透明衬底的表面和所述透明键合层背离所述外延层结构的表面进行活化处理；采用高温高压键合技术将所述透明衬底和所述透明键合层进行键合处理，以形成所述LED氧化物键合结构。该制作方法工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层结构 透明键 合层 键合结构 氧化物 衬底 电极结构 背离 制作 透明 高温高压 活化处理 键合技术 研磨处理 键合 | ||
【主权项】：
1.一种LED氧化物键合结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一外延层结构；在所述外延层结构的一侧设置电极结构；在所述外延层结构背离所述电极结构的一侧设置透明键合层；对所述透明键合层背离所述外延层结构的表面进行研磨处理；提供一透明衬底；对所述透明衬底的表面和所述透明键合层背离所述外延层结构的表面进行活化处理；采用高温高压键合技术将所述透明衬底和所述透明键合层进行键合处理，以形成所述LED氧化物键合结构。
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