[发明专利]一种LED氧化物键合结构及制作方法在审
| 申请号： | 201910106834.3 | 申请日： | 2019-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN109860347A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 许晏铭;彭钰仁;王涛 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 225101*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延层结构 透明键 合层 键合结构 氧化物 衬底 电极结构 背离 制作 透明 高温高压 活化处理 键合技术 研磨处理 键合 | ||
1.一种LED氧化物键合结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一外延层结构；
在所述外延层结构的一侧设置电极结构；
在所述外延层结构背离所述电极结构的一侧设置透明键合层；
对所述透明键合层背离所述外延层结构的表面进行研磨处理；
提供一透明衬底；
对所述透明衬底的表面和所述透明键合层背离所述外延层结构的表面进行活化处理；
采用高温高压键合技术将所述透明衬底和所述透明键合层进行键合处理，以形成所述LED氧化物键合结构。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述外延层结构背离所述电极结构的一侧设置透明键合层，包括：
对所述外延层结构背离所述电极结构的表面进行粗化处理；
当粗化处理完成后，沉积所述透明键合层。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述透明键合层的材料为ITO或IZO或IGZO或AZO或Al2O3或TiO2或Ti3O5或Ta2O5或SiN或SiO。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述透明衬底为玻璃衬底或蓝宝石衬底或GaP衬底或Ge衬底。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述采用高温高压键合技术将所述透明衬底和所述透明键合层进行键合处理，包括：
采用300℃-500℃的温度将所述透明衬底和所述透明键合层进行键合处理。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述采用高温高压键合技术将所述透明衬底和所述透明键合层进行键合处理，包括：
采用7000kgf-17000kgf的压力将所述透明衬底和所述透明键合层进行键合处理。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述透明键合层的厚度为0.5um-5um，包括端点值。
8.一种LED氧化物键合结构，其特征在于，所述LED氧化物键合结构包括：
外延层结构；
设置在所述外延层结构一侧的电极结构；
设置在所述外延层结构背离所述电极结构一侧的透明键合层；
设置在所述透明键合层背离所述外延层结构一侧的透明衬底。
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