[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201910093346.3 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN110660848A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 堤姆斯·文森;荷尔本·朵尔伯斯;麦特西亚斯·帕斯拉克 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露描述一种穿隧场效晶体管装置，其包含P‑I‑N异质接面结构。高介电常数介电层与金属栅极围绕本质通道层，中间层位在高介电常数介电层与P‑I‑N异质接面的本质通道层之间。在陷阱辅助穿隧效应下，中间层避免了电荷载子经由高介电常数介电层，到达穿隧效应发生的界面，因而减少了关闭状态下的电流泄漏。 | ||
| 搜索关键词： | 高介电常数介电层 穿隧效应 通道层 中间层 场效晶体管 电荷载子 电流泄漏 金属栅极 异质接面 穿隧 异质 陷阱 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：/n一第一半导体层，被掺杂为一第一导电类型；/n一第二半导体层，被掺杂为一第二导电类型，且该第二半导体层与该第一半导体层分开；/n一第三半导体层，接触该第一半导体层与该第二半导体层；/n一栅极结构，与第三半导体层相邻；以及/n一第四半导体层，位于该第三半导体层与该栅极结构之间，且该第四半导体层具有与该第三半导体层不同的一半导体材料。/n
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