[发明专利]LED外延片及制作方法、LED芯片有效
| 申请号： | 201910047849.7 | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN109802017B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王美丽;王飞;徐婉娴 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开涉及LED技术领域，提出一种LED外延片生成方法，该方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成图案化的种子层，所述种子层的非镂空区域包括与待形成LED芯片所需外延层形状、大小相同的图案；根据成核外延原理在所述种子层的非镂空区域上形成外延层；其中，所述基板材料与所述外延层材料的晶格失配率大于所述种子层材料与所述外延层材料的晶格失配率。本公开提供的LED外延片生成方法可以直接在衬底基板上形成待形成LED芯片所需的外延层图案，避免了在形成LED芯片时由于对外延层的刻蚀导致的对LED芯片发光层的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 制作方法 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种LED外延片生成方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成图案化的种子层，所述种子层的非镂空区域包括与待形成LED芯片所需外延层形状、大小相同的图案；根据成核外延原理在所述种子层的非镂空区域上形成外延层；其中，所述衬底基板材料与所述外延层材料的晶格失配率大于所述种子层材料与所述外延层材料的晶格失配率。
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