[发明专利]用于P-通道沟槽MOSFET的源极镇流有效
| 申请号： | 201910045713.2 | 申请日： | 2019-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN110120422B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 雷燮光 | 申请（专利权）人： | 万国半导体（开曼）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 英属西印度群岛，开曼群岛，大开曼岛KY1*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种沟槽金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，包括一个第一导电类型的衬底、一个第二导电类型的本体区、一个形成在栅极沟槽中的栅极电极，在本体区和衬底中延伸，形成在本体区中的一个轻掺杂源极区和一个重掺杂源极区，以及一个沟槽接头，延伸到形成在接触沟槽中的本体区。制备一个第二导电类型的接触注入物，包围着接触沟槽的底部以及接触沟槽的侧壁部分，在接触沟槽的侧壁部分，它与轻掺杂源极区相接触，形成一个PN结。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 通道 沟槽 mosfet 源极镇流 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，包括：a)一个第一导电类型的衬底，衬底包括第一导电类型的半导体外延层位于相同导电类型的重掺杂半导体晶圆上方；b)一个第二导电类型的本体区，第二导电类型与第一导电类型相反，本体区形成在衬底上方；c)一个栅极沟槽，形成在本体区和衬底中，其中栅极沟槽内衬电介质层，栅极电极形成在栅极沟槽中；d)一个轻掺杂源极区和一个重掺杂源极区，形成在本体区中，其中轻掺杂源极区延伸到本体区中比重掺杂源极区更深的地方；以及e)一个沟槽接头，形成在接触沟槽中，在本体区中延伸，其中第二导电类型的接触注入物形成在接触沟槽底部和接触沟槽的侧壁与轻掺杂源极区相接触的部分。
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