[发明专利]一种降低阵元互耦效应的改进型互质阵列设置方法有效

专利信息
申请号: 201910036688.1 申请日: 2019-01-15
公开(公告)号: CN109752687B 公开(公告)日: 2023-08-01
发明(设计)人: 司伟建;曾富红;曲志昱;彭占立;张春杰;侯长波;张朝柱;乔玉龙 申请(专利权)人: 哈尔滨工程大学
主分类号: G01S3/00 分类号: G01S3/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 发明属于信号处理技术领域,具体涉及一种降低阵元互耦效应的改进型互质阵列设置方法。主要解决现有稀疏阵列阵元互耦大以及物理阵列孔径不够大的问题。其技术方案是:首先,根据给定的阵元数R确定与改进型互质阵列两子阵列阵元数相关的参数M及N;其次,根据M及N确定两均匀子阵列的阵元位置;最后,再在原点处添加一个阵元作为参考阵元。本发明可用于入射信源个数大于阵元数情况下的波达方向估计,并且能够减少阵元间的互耦效应,在不采用任何解耦算法的情况下仍具有良好的DOA估计性能。在相同阵元数下,本发明对应的改进型互质阵列具有更大的阵元间隔以及物理孔径,从而能够极大地降低阵元间的互耦,相比于传统的互质阵列具有更好的DOA估计性能。
搜索关键词: 一种 降低 阵元互耦 效应 改进型 阵列 设置 方法
【主权项】:
1.一种降低阵元互耦效应的改进型互质阵列设置方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:步骤1:根据给定的总阵元数R确定与改进型互质阵列的两子阵列阵元数相关的参数M及N;步骤2:根据取得的M及N,得到组成该改进型互质阵列的两个子阵列中阵元位置;步骤3:再在原点放置一个阵元作为参考阵元;步骤4:参考阵元与两子阵列一同构成改进型互质阵列,最终整个阵列的阵元位置表示为l1∪l2∪{0}。
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