[发明专利]一种降低阵元互耦效应的改进型互质阵列设置方法有效
| 申请号： | 201910036688.1 | 申请日： | 2019-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN109752687B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 司伟建;曾富红;曲志昱;彭占立;张春杰;侯长波;张朝柱;乔玉龙 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | G01S3/00 | 分类号： | G01S3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 阵元互耦 效应 改进型 阵列 设置 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低阵元互耦效应的改进型互质阵列设置方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤1：根据给定的总阵元数R确定与改进型互质阵列的两子阵列阵元数相关的参数M及N；
若总阵元数R为奇数，即R＝2k+1，且k为大于1的正整数，则M＝k，N＝k+1；
若总阵元数R为偶数，即R＝2j，且j为大于3的正整数，且j为偶数时，则M＝j-1，N＝j+1；
若总阵元数R为偶数，即R＝2j，且j为大于3的正整数，且j为奇数时，则M＝j-2，N＝j+2；
步骤2：根据取得的M及N，得到组成该改进型互质阵列的两个子阵列中阵元位置；
第一子阵列为含有M个阵元且阵元间距为Nd的均匀线阵，其阵元位置表示为其中，d为入射信号半波长；
第二子阵列为在含有N-1个阵元且阵元间距为Md的均匀线阵，其阵元位置表示为
步骤3：在原点放置一个阵元作为参考阵元，在原点右侧布置一个含有M个阵元、阵元间距为Nd的均匀线阵，在原点左侧为一个含有N-1个阵元、阵元间距为Md的均匀线阵；
步骤4：参考阵元与两子阵列一同构成改进型互质阵列，最终整个阵列的阵元位置表示为l1∪l2∪{0}。
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